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高精度實(shí)時(shí)三維分析FIB-SEM三束系統(tǒng) NX9000

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追求理想的三維結(jié)構(gòu)分析通過(guò)自動(dòng)重復(fù)使用FIB制備截面和進(jìn)行SEM觀察,采集一系列連續(xù)截面圖像,并重構(gòu)特定微區(qū)的三維結(jié)構(gòu)。采用的鏡筒布局,從*材料、*設(shè)備到生物組織在寬廣的領(lǐng)域范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)機(jī)型難以企及的高精度三維結(jié)構(gòu)分析。

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高精度實(shí)時(shí)三維分析FIB-SEM三束系統(tǒng) NX9000

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追求理想的三維結(jié)構(gòu)分析

通過(guò)自動(dòng)重復(fù)使用FIB制備截面和進(jìn)行SEM觀察,采集一系列連續(xù)截面圖像,并重構(gòu)特定微區(qū)的三維結(jié)構(gòu)。
采用的鏡筒布局,從*材料、*設(shè)備到生物組織——在寬廣的領(lǐng)域范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)機(jī)型難以企及的高精度三維結(jié)構(gòu)分析。

  • 特點(diǎn)

  • 規(guī)格

特點(diǎn)

  • SEM鏡筒與FIB鏡筒互成直角,形成三維結(jié)構(gòu)分析的鏡筒布局
  • 融合高亮度冷場(chǎng)發(fā)射電子槍與高靈敏度檢測(cè)系統(tǒng),從磁性材料到生物組織——支持分析各種樣品
  • 通過(guò)選配口碑良好的Micro-sampling®系統(tǒng)*和Triple Beam®系統(tǒng)*,可支持制作高品質(zhì)TEM及原子探針樣品

垂直入射截面SEM觀察可忠實(shí)反映原始樣品結(jié)構(gòu)

SEM鏡筒與FIB鏡筒互成直角,實(shí)現(xiàn)FIB加工截面的垂直入射SEM觀察。
舊型FIB-SEM采用傾斜截面觀察方式,必定導(dǎo)致截面SEM圖像變形及采集連續(xù)圖像時(shí)偏離視野,直角型結(jié)構(gòu)可避免出現(xiàn)此類問(wèn)題。
通過(guò)穩(wěn)定獲得忠實(shí)反映原始結(jié)構(gòu)的圖像,實(shí)現(xiàn)高精度三維結(jié)構(gòu)分析。
同時(shí),F(xiàn)IB加工截面(SEM觀察截面)與樣品表面平行,有利于與光學(xué)顯微鏡圖像等數(shù)據(jù)建立鏈接。

舊型FIB-SEM、直角型FIB-SEM

樣品:小白鼠腦神經(jīng)細(xì)胞
樣品來(lái)源:自然科學(xué)研究機(jī)構(gòu)/生理學(xué)研究所 窪田芳之 先生

Cut&See/3D-EDS*1/3D-EBSD*1可支持各種材料

Cut&See

從生物組織及半導(dǎo)體到鋼鐵及鎳等磁性材料——支持低加速電壓下的高分辨率和高對(duì)比度觀察。
FIB加工與SEM觀察之間切換時(shí),不需要重新設(shè)定條件,可高效率的采集截面的連續(xù)圖像

提取截面圖像?三維重構(gòu)圖像

樣品:鎳
SEM加速電壓:1 kV
加工間距:20 nm
重復(fù)次數(shù):675次

3D-EDS*1

不僅支持截面SEM圖像,也支持連續(xù)采集一系列截面的元素分布圖像。
通過(guò)選配硅漂移式大立體角EDS檢測(cè)器*1,可縮短測(cè)定時(shí)間以及可在低加速電壓下采集元素分布圖像。

3D-EDS圖像

樣品:燃料電池電極
SEM加速電壓:5 kV
加工間距:100 nm
重復(fù)次數(shù):212次

樣品來(lái)源:東京大學(xué) 生產(chǎn)技術(shù)研究所 鹿園直毅 教授

3D-EBSD*1

以的方式配置SEM/FIB/EBSD檢測(cè)器*1,在FIB加工與EBSD分析之間無(wú)需移動(dòng)樣品臺(tái)即可實(shí)現(xiàn)3D-EBSD。因?yàn)闊o(wú)需移動(dòng)樣品臺(tái),所以可大幅提高三維晶體取向分析的精度和效率。

3D-EBSD圖像

樣品:鎳
SEM加速電壓:20 kV
加工間距:150 nm
重復(fù)次數(shù):150次

*1:
選配

規(guī)格

規(guī)格
項(xiàng)目內(nèi)容
SEM電子源冷場(chǎng)場(chǎng)發(fā)射型
加速電壓0.1 ~ 30 kV
分辨率2.1 nm@1 kV
1.6 nm@15 kV
FIB離子源
加速電壓0.5 ~ 30 kV
分辨率4.0 nm@30 kV
大束流100 nA
標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器In-colum二次電子探測(cè)器/In-colum背散射電子探測(cè)器/
樣品室二次電子探測(cè)器
樣品臺(tái)X0 ~ 20 mm *2
Y0 ~ 20 mm *2
Z0 ~ 20 mm *2
θ0 ~ 360° *2
τ-25 ~ 45° *2
大樣品尺寸正方形邊長(zhǎng)6 mm × 厚度2 mm
*2:
根據(jù)樣品座不同,行程不同

關(guān)聯(lián)產(chǎn)品分類

  • 場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡 (FE-SEM)
  • 透射電子顯微鏡 (TEM/STEM)


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