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參考價 | 面議 |
- 公司名稱 日立高新技術(shù)(上海)國際貿(mào)易有限公司北京分公司
- 品牌
- 型號
- 所在地
- 廠商性質(zhì) 其他
- 更新時間 2021/2/26 19:06:52
- 訪問次數(shù) 264
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追求的TEM樣品制備工具 在設(shè)備及高性能納米材料的評價和分析領(lǐng)域,F(xiàn)IB-SEM已成為*的工具。近來,目標(biāo)觀察物更趨微細(xì)化;更薄,更低損傷樣品的制備需求更進(jìn)一步凸顯。日立高新公司,整合了高性能FIB技術(shù)和高分辨SEM技術(shù),再加上加工方向控制技術(shù)以及Triple Beam*1(選配)技術(shù),推出了新一代產(chǎn)品NX2000
追求的TEM樣品制備工具
在設(shè)備及高性能納米材料的評價和分析領(lǐng)域,F(xiàn)IB-SEM已成為*的工具。
近來,目標(biāo)觀察物更趨微細(xì)化;更薄,更低損傷樣品的制備需求更進(jìn)一步凸顯。
日立高新公司,整合了高性能FIB技術(shù)和高分辨SEM技術(shù),再加上加工方向控制技術(shù)以及Triple Beam®*1(選配)技術(shù),推出了新一代產(chǎn)品NX2000
FIB加工時的實時SEM觀察*2例
樣品:NAND閃存
加速電壓:1 kV
FOV:0.6 µm
加工方向控制
常規(guī)加工時
EB:Electron Beam(電子束)
FIB:Focused Ion Beam(聚焦離子束)
Ar:Ar ion beam(Ar離子束)
項目 | 內(nèi)容 |
---|---|
FIB鏡筒 | |
分辨率 | 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV |
加速電壓 | 0.5~30 kV |
束流 | 0.05 pA ~ 100 nA |
FE-SEM鏡筒 | |
分辨率 | 2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV |
加速電壓 | 0.5~30 kV |
電子槍 | 冷場場發(fā)射型 |
探測器 | |
標(biāo)準(zhǔn)検出器 | In-lens 二次電子探測器/樣品室二次電子探測器/背散射電子探測器 |
樣品臺 | X:0 ~ 205 mm Y:0 ~ 205 mm Z:0 ~ 10 mm R:0 ~ 360°連續(xù) T:-5 ~ 60° |
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