一體化廢水處理設(shè)備是在斜板（管）沉淀池基礎(chǔ)之上改進(jìn)而成,將PH/ORP自動(dòng)加藥裝置、空氣攪拌系統(tǒng)、污泥沉淀系統(tǒng)和自動(dòng)控制系統(tǒng)有機(jī)融合在一起,保證出水的達(dá)標(biāo)排放。 斜板（管）沉淀池是根據(jù)淺池沉淀理論設(shè)計(jì)出的一種高效組合式沉淀池；也統(tǒng)稱(chēng)為淺池沉淀池。在沉降區(qū)域設(shè)置許多密集的斜管或斜板，使水中懸浮雜質(zhì)在斜板或斜管中進(jìn)行沉淀，水沿斜板或斜管上升流動(dòng)，分離出的泥渣在重力作用下沿著斜板（管）向下滑至池底，再集中排出。這種池子可以提高沉淀效率50～60%，在同一面積上可提高處理能力3～5倍?？筛鶕?jù)原廢水的試驗(yàn)數(shù)據(jù)來(lái)設(shè)計(jì)不同流量的斜管沉淀器，使用時(shí)一般都要投加凝聚劑。 斜管沉淀凈水法是在泥渣懸浮層上方按裝傾角60度的斜管組建，便原水中的懸浮物，固體物或經(jīng)投加混凝劑后形成的絮體礬花，在斜管底側(cè)表面積積聚成薄泥層，依靠重力作用滑回泥渣懸浮層，繼而沉入集泥斗。由排泥管排入污泥池另行處理或綜合利用。上清液逐漸上升至集水管排出，可直接排放或回用。
設(shè)備特點(diǎn)
1、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、無(wú)易損件、經(jīng)久耐用、減少
2、運(yùn)行穩(wěn)定、容易操作。
3、動(dòng)力少、節(jié)約能源。
4、占地省、投資少、上馬快、效率高。
5停留時(shí)間短，沉淀效果高，處理效率高，曝氣強(qiáng)度低，不需污泥回流。
使用范圍
1、電鍍廢水中含多種金屬離子的混合廢水、鉻、銅、鐵、鋅、鎳等去除率均在90%以上，一般電鍍廢水經(jīng)處理后均可達(dá)到排放標(biāo)準(zhǔn)。
2、煤礦、選礦廢水可使?jié)岫仍?/span>500-1500毫克/升降至5毫克/升。
3、印染、漂染等廢水色度去除率70-90%，COD去除50-70%。
4、制革、食品等行業(yè)廢水大量有機(jī)質(zhì)的去除，COD去除率50-80%，雜質(zhì)固體去除率90%以上。
5、化工廢水的COD去除率60-70%，色度去除60-90%，懸浮物達(dá)排放標(biāo)準(zhǔn)。
技術(shù)參數(shù)
規(guī)格型號(hào) | PYXG-5 | PYXG-10 | PYXG-15 | PYXG-20 | PYXG-25 | PYXG-30 | PYXG-40 | PYXG-50 |
處理能力(T/H) | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 | 30 | 40 | 50 |
設(shè)備尺寸(米) | 2.5*2*3.5 | 2.5*2.5*4 | 5*2.5*4 | 6*3*4.5 | 8*3*4.5 | 8*3.5*4.5 | 10*3.5*4.5 | 12*3.5*4.5 |
結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介
1.斜管、斜板材料：玻璃鋼（FRP）聚氯乙烯（PVC）聚乙烯（PE）聚丙烯（PP）
2.斜管斷面一般為正六邊形，斜板斷面可為平行板，亦可為正弦波形板。
3.斜管（板）頂部以上清水區(qū)高度為1.0—1.5m，底部以下配水區(qū)高度不小于1.0—1.5m。機(jī)械排泥時(shí)，配水區(qū)高度應(yīng)大于1.6m，便于安裝和檢修。
4.斜管（板）中水流的Re數(shù)小于500，Fr數(shù)為10-3—10-5，
5.斜管設(shè)計(jì)流速為1.0—4.0mm/s，斜板為10-20mm/s。
安裝使用
1.斜管安裝時(shí)應(yīng)用膠液或電粘接等方法粘接固定。平行板斜板則用支持架固定，波形斜板用穿心螺桿固定。
2.安裝時(shí)傾斜方向不應(yīng)使水流直沖斜管（板）。
3.定期沖洗，合理管理，降低因生物膜瘋長(zhǎng)引起堵塞現(xiàn)象。
4.斜管（板）平面不得承受集中負(fù)荷。
5.不得在安裝有斜管（板）區(qū)域內(nèi)使用明火。
沉淀原理
斜板、斜管統(tǒng)稱(chēng)為淺池沉淀池，是建立在淺池沉淀原理基礎(chǔ)上的。設(shè)有一理想沉淀池，池窖V，表面積A，池長(zhǎng)L，寬=B，高=H，處理水量Q，停留時(shí)間t，沉降速度U0。則V=Qt，H=Uot，Q=Uot/H=U0A由淺池沉淀原理可知：沉淀效率僅為沉淀池表面積的函數(shù)，而與水深無(wú)關(guān)。當(dāng)沉淀池容積為定值時(shí)，池子越淺則A值越大，沉淀效率越高。所以，如果將沉淀池按高度分隔為n層，即分隔為n個(gè)高度為h=H/n的淺層沉降單元，在Q不變的條件下，顆粒的沉降深度由H減小到H/n，則沉淀池中可被*除去的顆粒沉速范圍由原來(lái)的u U0擴(kuò)大到u U0/n ，沉速u
工藝流程
