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GaS 硫化鎵晶體（Gallium Sulfide）

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公司名稱 上海巨納科技有限公司
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更新時間 2020/12/26 16:23:02
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2020年01月08日至 2020年02月08日

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模內(nèi)澆口分離自動化，降低對人的依賴度；傳統(tǒng)的塑膠模具開模后產(chǎn)品與澆口相連，需二道工序進(jìn)行人工剪切分離，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開模前，消除后續(xù)工序，有利于生產(chǎn)自動化，降低對人的依賴。

產(chǎn)品簡介

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Large size hexagonal phase GaTe （Gallium luride） crystals have been developed at our facilities using three different growth techniques, namely Bridgman growth, chemical vapor transport （CVT）

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Large size hexagonal phase GaTe (Gallium luride) crystals have been developed at our facilities using three different growth techniques, namely Bridgman growth, chemical vapor transport (CVT), and flux zone growth, to optimize grain sizes and reduce defect concentrations. In contrast to commonly used chemical vapor transport (CVT) technique, flux grown crystals are well known for their structural perfection and electronic/optical performance. Bridgman and flux zone methods both offer similar grade qualities. Each crystal very large in size to last for years, is highly crystalline, oriented in 0001 direction, and easy to exfoliate. Our R&D staff takes characterization dataset in each sample piece to ensure structural, optical, and electronic consistency.
Properties of monoclinic GaS vdW crystals