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硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on Si表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt; 95%制備方法：1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
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1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
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