IV7樣品制備系統(tǒng)
快速制備高質(zhì)量的TEM/XTEM樣品
對于開發(fā)新材料或開發(fā)樣品制備新方法的用戶，*采用IV7通用離子研磨儀。IV7具有*的研磨速度，非常適用于研究難以濺鍍的材料，例如金剛石、藍(lán)寶石等。IV7具有*的能力，通過低能離子轟擊，可以制備無損壞的、無人為干擾的樣品，并提供了*的機會，可以研究合成材料和天然材料的實際納米結(jié)構(gòu)，用于所有領(lǐng)域的技術(shù)和材料科學(xué)研究。
IV7 TEM/XTEM樣品制備系統(tǒng)
低能離子源
離子源具有*的構(gòu)型，讓IV7可以在整個運行范圍內(nèi)均能達(dá)到較高的離子束電流密度。采用極低能的惰性氣體離子束，可以確保zui大限度地減少表面損壞和由離子束引起的無定形化。
離子源控制
所有的離子槍參數(shù)，包括加速電壓和離子束電流，均采用數(shù)字反饋環(huán)路進(jìn)行自動控制，不過在樣品制備過程中仍然可以進(jìn)行人工變更。離子源參數(shù)的初始數(shù)值既可以自動設(shè)定，也可以人工設(shè)定。這些參數(shù)可以由電腦連續(xù)監(jiān)測并顯示。
自動運行
IV7采用全電腦控制和便于使用的圖形化界面。所有的工作參數(shù)，包括電極電壓、工作氣體流、樣品移動/傾斜，以及工藝時間和穿孔探測等其它參數(shù)，均可以保存或預(yù)編程。IV7的這種全自動特性可以制備高質(zhì)量的樣品，同時將用戶的干擾降至zui小。
在線監(jiān)測和支持
IV7配有在線軟件，可以通過互聯(lián)網(wǎng)進(jìn)行實時錯誤檢測和問題解決。
規(guī)格
• 采用相同的儀器進(jìn)行快速減薄和輕柔拋光/清洗
• 全自動離子源設(shè)置和離子研磨操作
• 離子能量范圍zui寬：從100 eV到20000 eV，采用超高能和低能惰性氣體離子源
• *的研磨速度：對于多晶銅，在20000 eV、45°條件下，研磨速度為1300μm/h；對于單晶硅，在16000-20000 eV、45°條件下，研磨速度為300-600μm/h
電力要求
• 100–120 V / 10 A / 50-60 Hz
• 220–240 V / 5 A / 50-60 Hz
離子源
超高能離子源
• 離子能量：2000-20000 eV，可以連續(xù)調(diào)節(jié)
• 離子電流密度：>150mA/cm 2
• 離子束電流：250 μA
• 離子束直徑：100–300 μm (FWHM)
• 研磨速度：在16000-20000 eV、45°離子束入射角度條件下，對于c-Si的研磨速度為300–600 μm/h
低能離子源
• 離子能量：100-2000 eV，可以連續(xù)調(diào)節(jié)
• 離子電流密度：zui大10mA/cm 2
• 離子束電流：7-80 mA
• 離子束直徑：750-1200 mm（FWHM）
• 研磨速度：在2000 eV、30°離子束入射角度條件下，對于c-Si的研磨速度為28 mm/h
樣品操作
• 研磨角度：0°–45°，可以電子調(diào)節(jié)，增量0.1°
• 由電腦控制的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)和擺動（0°–120°角度范圍，可以電子調(diào)節(jié)，增量10°）
• 可以容納很大厚度范圍的TEM樣品（30-200μm）
真空系統(tǒng)
• Pfeiffer真空系統(tǒng)，帶無油薄膜和渦輪分子泵，配有緊湊式全量程皮拉尼(Pirani)/潘寧(Penning)真空計
氣體供應(yīng)系統(tǒng)
• 純度為99.999%的氬氣，壓力1.3-1.7 bar
• 壓力調(diào)節(jié)器，采用電子出口壓力監(jiān)測，用于調(diào)節(jié)惰性氣體
• 采用機動針閥，進(jìn)行高精度工作氣體流控制
成像系統(tǒng)
• CCD攝像頭圖像，用于全可視化控制和研磨監(jiān)管/終止
• 高分辨率（500萬像素）彩色CCD攝像頭
• 人工縮放視頻鏡頭，放大范圍為50-400倍
電腦控制
• 內(nèi)置式工業(yè)級個人電腦
• 便于使用的圖形化界面和圖像分析模塊
• 采用機動針閥，進(jìn)行自動離子源設(shè)置，包括氣體流調(diào)節(jié)
• 預(yù)編程自動設(shè)定機械和電子減薄參數(shù)（也可以人工調(diào)節(jié)）
• 自動裝載樣品
• 自動終止：
在圖像分析模塊的支持下，探測樣品穿孔或監(jiān)測表面形態(tài)的演變，可視化終止研磨過程
