吉時(shí)利4200用于高分辨率的電壓電流信號(hào)的測(cè)量，適合于中小功率設(shè)備，并可提供精密的電壓、電流的測(cè)量。

Keithley 4200 參數(shù)分析儀

吉時(shí)利4200通常用于高分辨率的電壓、電流信號(hào)的測(cè)量，適合于中小功率設(shè)備，并可提供精密的電壓、電流的測(cè)量。儀器本身基于模塊化功能設(shè)計(jì)，每個(gè)模塊可完成相應(yīng)的測(cè)量任務(wù)。功率源模塊與前端放大器模塊可以測(cè)量基本的I-V、C-V，同時(shí)擁有較高的分辨率；再配置多通道開關(guān)模塊，可實(shí)現(xiàn)I-V、C-V測(cè)量的輕松切換。超快速脈沖單元以及高壓脈沖配合前端放大器實(shí)現(xiàn)更多模式信號(hào)、信號(hào)分辨率以及測(cè)試信號(hào)之間的任意切換。由于模塊化設(shè)計(jì)，參數(shù)分析儀擁有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。在COMS晶體管、BJT、分立元器件、非易失性存儲(chǔ)器、材料、功率器件、可靠性等測(cè)試方面廣泛應(yīng)用。

主要特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)

四象限操作

2 線或 4 線連接

瞬態(tài)波形捕獲模式

100 fA 測(cè)量分辨率

200 MSa/s，5 ns 采樣率

AC 阻抗測(cè)量 (C-V, C-f, C-t)

10 mHz - 10 Hz 低頻率電容測(cè)量

主要應(yīng)用

MOSFET, BJT晶體管

材料表征

非易失性存儲(chǔ)設(shè)備

電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測(cè)量

NBTI/PBTI III-V族器件

失效分析

納米器件

二極管和pn聯(lián)結(jié)

太陽(yáng)能電池

傳感器

MEMS器件

電化學(xué)

LED和OLED