該PECVD等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備系統(tǒng)可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等?？蛇x用射頻（RF）、空陰*密度等離子體（HCD）源、感應(yīng)耦合等離子體（ICP）源。大沉積尺寸為8英寸。

該PECVD可以升級到PECVD & 反應(yīng)離子蝕刻雙功能系統(tǒng)(帶ICP源)！
該PECVD等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備系統(tǒng)可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等?？蛇x用射頻(RF)、空陰*密度等離子體(HCD)源、感應(yīng)耦合等離子體（ICP）源。大沉積尺寸為8英寸。
等離子源：
5英寸或8英寸多噴頭平面中空陰離子源；
600瓦水冷；
Fractal monometer and carrier gas freed；
高密度等離子1013 ions/cc；
均勻性好，低污染；
應(yīng)用領(lǐng)域：
等離子誘導(dǎo)表面改性(Plasma Induced Surface Modifications)；
等離子清洗(NF3)；
等離子反應(yīng)離子蝕刻(Plasma Reactive Ion Etching)；
等離子聚合(Plasma Polymerization)；
等離子增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)；
SiO2, Si3N4, DLC及其它硬質(zhì)薄膜

PECVD等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備技術(shù)參數(shù)：

平板尺寸(Platen size) 8英寸
源直徑(Source diameter) 5英寸或8英寸
氣路數(shù)(No. of gas feeds) 4(2反應(yīng)氣，1載氣，1排氣)
源到平板距離(Source to platen distance) 2英寸或可以調(diào)節(jié)
zui高平板溫度(Max. platen temp.) 400℃
射頻電源(RF power supply source) 600瓦，13.5 MHz
射頻偏置(RF bias) 300瓦，13.5 MHz

計算機控制的高品質(zhì)沉積設(shè)備；
射頻花灑噴頭及等離子源；
大可沉積8英寸直徑的薄膜；
RF偏置基底夾具；
水冷平板(water cooled platen)；
一路載氣和兩路反應(yīng)氣通過流量計控制流量；
分子渦輪泵；
基本真空度10-7 Torr；
空氣控制閥

主要特點：

可升級到PECVD & 反應(yīng)離子蝕刻(Reactive Ion Etching,RIE)雙功能系統(tǒng)；
5英寸或8英寸等離子源；
電拋光不銹鋼腔體；
熱臺(heated platen)；
帶有5英寸視窗的門(晶片裝載及取出)；
裝載鎖(load lock)；
高度調(diào)整平板；
腐蝕泵包(corrosive pump package)；
增加氣路，加熱氣路；
HMDS或加熱液體傳輸系統(tǒng)；
1kw射頻源；
脈沖直流電源；
蘭繆爾探針(Langmuir probe)