NeuroNexus 3D電極_Matrix Array 是采用成熟的硅技術(shù)設(shè)計(jì)的新的三維電極，用于像靈長(zhǎng)類這樣的大型動(dòng)物的急性和慢性實(shí)驗(yàn)。

NeuroNexus 3D電極_Matrix Array 

3D記錄不同空間位置的神經(jīng)細(xì)胞。
多功能配置、性能可靠。

NeuroNexus 3D電極_Matrix Array 是采用成熟的硅技術(shù)設(shè)計(jì)的新的三維電極，用于像靈長(zhǎng)類這樣的大型動(dòng)物的急性和慢性實(shí)驗(yàn)。

Matrix Array™同時(shí)跨越皮質(zhì)層和皮質(zhì)柱，覆蓋大片區(qū)域，記錄大量的神經(jīng)信息。

Matrix Array可以直接使用我們標(biāo)準(zhǔn)的2D硅電極組裝，每一片硅電極的間距和陣列形式都可以定制，可以靈活自如地設(shè)計(jì)出跨越任何解剖結(jié)構(gòu)的3D電極。Matrix Array通過一個(gè)超柔的線纜連接到電極連接器上。

每個(gè)電極都提供了配套的工具（包括測(cè)量，模擬裝配，螺絲等），協(xié)助您提高電極記錄的成功率。

從左上角開始順時(shí)針順序：?jiǎn)魏薓atrix Array™，雙核Matrix Array™，多核Matrix Array™電極與表面電極，單核Matrix Array™與表面電極

NeuroNexus 3D電極_Matrix Array有高度靈活的配置。各種配置都可以擴(kuò)展傳統(tǒng)的記錄區(qū)域，能夠與從腦表面到皮質(zhì)下結(jié)構(gòu)的任何部分相互連接。單個(gè)電極組件，或?yàn)槎鄠€(gè)植入位置選擇雙核組件。使表面電極和植入電極的組合記錄腦表面和腦皮層。可將短和長(zhǎng)電極混合在一個(gè)陣列中，以記錄并刺激高達(dá)10毫米深的腦組織結(jié)構(gòu)。

上圖：配置有不同電極長(zhǎng)度的單個(gè)Matrix Array™，對(duì)大腦中不同區(qū)域進(jìn)行定位。

規(guī)格：