PHI公司的PHI 710俄歇電子能譜儀是一臺(tái)設(shè)計(jì)*的高性能的俄歇電子能譜(AES)儀器。該設(shè)備能分析納米級(jí)特征區(qū)域,超薄薄膜和多層結(jié)構(gòu)表界面的元素態(tài)和化學(xué)態(tài)信息。作為高空間分辨率，高靈敏度和高能量分辨率的俄歇電子能譜儀，PHI 710俄歇電子能譜儀可以為用戶提供納米尺度方面的各種分析需求。
PHI710主要特點(diǎn)：
SEM分辨率≤ 3 nm, AES分辨率≤ 8 nm
歇能譜的采集分析過程中，包括譜圖，深度剖析及元素分布像，需要先在SEM圖像上定義樣品分析區(qū)域，必然要求束斑直徑小且穩(wěn)定。PHI 710的SEM圖像的空間分辨率優(yōu)于3nm,AES的空間分辨率優(yōu)于8nm(@20kV,1nA)。
關(guān)于鑄鐵韌性斷裂的界面分析，左邊是SEM圖像，中間是鈣、鎂、鈦的俄歇成像，右邊則是硫的俄歇成像，這充分證明了PHI 710在納米級(jí)尺度下的化學(xué)態(tài)的分析能力。
同軸筒鏡分析器(CMA)
PHI 公司電子槍和分析器同軸的幾何設(shè)計(jì)，具有靈敏度高和視線無遮攔的特點(diǎn)，滿足了現(xiàn)實(shí)復(fù)雜樣品對(duì)俄歇分析全面表征能力的需求。所有俄歇的數(shù)據(jù)都是從顆粒的各個(gè)方向收集而來，成像沒有陰影。
俄歇能譜儀的化學(xué)態(tài)成像：
圖譜成像
高能量分辨率俄歇成分像
納米級(jí)的薄膜分析
SEM圖像中，以硅為襯底的鎳的薄膜上有缺陷，這是由于退火后，在界面處形成了硅鎳化合物。分別在缺陷區(qū)域和正常區(qū)域設(shè)定了一個(gè)分析點(diǎn)，分析條件為高能量分辨率模式下(0.1%)，電子束直徑20nm，離子槍采用0.5kV設(shè)定。在MultiPak軟件中，采取小二乘擬合法用于區(qū)分金屬鎳和硅鎳化合物，同樣區(qū)分金屬硅和硅化物。可以看出，硅鎳化合物僅存在于界面處，而在鎳薄膜層和硅襯底中都不存在。但是，在鎳涂層的缺陷處，發(fā)現(xiàn)了硅鎳化合物。
l PHI SmartSoft-AES用戶界面：PHI SmartSoft是一個(gè)從用戶需求出發(fā)而設(shè)計(jì)的軟件。該軟件通過任務(wù)導(dǎo)向的方式指引用戶導(dǎo)入樣品，定義分析點(diǎn)，并設(shè)置分析條件，可以讓新手快速,方便地測試樣品，并且用戶可以很方便的重復(fù)之前的測量。
PHI MultiPak 數(shù)據(jù)處理軟件：MultiPak軟件擁有全面的俄歇能譜數(shù)據(jù)庫。采譜分析，線掃描分析，成像和深度剖析的數(shù)據(jù)都能用MultiPak來處理。軟件強(qiáng)大的功能包括譜峰的定位，化學(xué)態(tài)信息及檢測限的提取，定量測試和圖像的增強(qiáng)等。
l 選配件：
真空室內(nèi)原位樣品泊放臺(tái)；
原位脆斷；
真空傳送管；
預(yù)抽室導(dǎo)航相機(jī)；
電子能量色散探測器(EDS)；
電子背散射衍射探測器(EBSD)；
背散射電子探測器(BSE)；
聚焦離子束(FIB)；
l 應(yīng)用領(lǐng)域：
•半導(dǎo)體器件：缺陷分析、蝕刻/清潔殘余物分析、短路問題分析、接觸污染物分析、界面擴(kuò) 散現(xiàn)象分析、封裝問題分析、FIB器件分析等。
•顯示器組件：缺陷分析、蝕刻/清潔殘余物分析、短路問題分析、接觸污染物分析、接口擴(kuò) 散現(xiàn)象分析等。
•磁性存儲(chǔ)器件：表面多層、表面元素、界面擴(kuò)散分析、孔洞缺陷分析、表面污染物分析、磁 頭缺陷分析、殘余物分析等。
