PHI 5000 Versaprobe多功能型掃描XPS微探針是PHI掃描XPS微探針設(shè)備全新產(chǎn)品,應(yīng)用了PHI業(yè)界*的專屬掃描X-射線技術(shù)和專屬雙束中和技術(shù)，成為更高水平的多功能分析儀器。
PHI 5000 Versaprobe多功能型掃描XPS微探針全新技術(shù)：
- 新的分析器輸入透鏡,將靈敏度提高了兩到三倍。
- 新的多通道探測器使得元素和化學(xué)態(tài)成像速度更快。
- 新的變角分析技術(shù)（ADXPS）收集角可達(dá)+/-5°,改善深度分辨率。
- 冷熱樣品臺的溫度范圍得到提高,-140℃到+600℃。
- 新的加熱樣品托可加熱至800℃。
- 新的四點(diǎn)電觸式冷熱樣品臺可對樣品進(jìn)行原位通電和加熱冷卻實(shí)驗(yàn)。
- 新設(shè)計的紫外光電子能譜UPS可自動點(diǎn)火和輸送氣體。
- 經(jīng)過改善的俄歇SAM技術(shù)提供了更高的靈敏度和更好的信噪比，可同時進(jìn)行REELS分析。
原位低能反光電子能譜 (LEIPS) 可在較低電子能量下（對材料無損傷）測試樣品的導(dǎo)帶信息。
PHI5000 Versaprobe III主要特征和功能：
- 微聚焦的掃描X射線束可應(yīng)對從微區(qū)到大面積的分析需求。
- 高可靠全自動分析能力,可實(shí)現(xiàn)無人值守式隊列分析。
- 微區(qū)成像和圖譜采集,可同時高效對多個微區(qū)進(jìn)行對比分析。
- 濺射深度剖析,可分析膜層結(jié)構(gòu)和成分深度變化。
- 多種技術(shù)聯(lián)用的超高真空分析腔室,可擴(kuò)展UPS、IPES、AES、C60、GCIB等多種技術(shù)。
- 智能用戶操作界面（SmartSoft-VersaProbe）。
- 數(shù)據(jù)處理軟件(MultiPak)。
微聚焦的掃描X射線源
掃描聚集X-射線技術(shù)是Versaprobe III的核心技術(shù),也是PHI公司的*技術(shù)。單色、掃描、聚 集X-射線源可以更好地分析微觀及宏觀區(qū)域,全部的X射線設(shè)定（包括束斑直徑小于10μm的設(shè)定） 都能用于采譜分析,深度剖析和影像分析。具體表現(xiàn)如下：
- 微聚焦的掃描X射線束。
- X射線束用于二次電子成像。
- XPS成分影像的每個像素點(diǎn)都可用于化學(xué)分析。
- 單點(diǎn)或多點(diǎn)采譜分析。
- 單點(diǎn)或多點(diǎn)薄膜分析。
- 分析
- 鼠標(biāo)點(diǎn)擊定義分析區(qū)域。
- 強(qiáng)大的Z軸自動校準(zhǔn)功能。
- 一鍵雙束中和功能。
- 在自動分析隊列中,無須樣品導(dǎo)電性。
XPS可以分析所有固體材料表面的成分和化學(xué)態(tài),包括導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣材料,但對絕緣體分析時需 要進(jìn)行電荷補(bǔ)償。VersaProbeIII采用低能電子束和離子束雙束源同時對樣品表面進(jìn)行電荷補(bǔ)償,該 技術(shù)只需一鍵開啟,實(shí)現(xiàn)從導(dǎo)體到絕緣體的自動分析。
定位功能更加容易實(shí)現(xiàn)：
SmartSoft將實(shí)時的數(shù)據(jù)（如導(dǎo)航圖、SXI、在線CCD）和測得的數(shù)據(jù)（如圖譜、深度剖析和化學(xué) 態(tài)分布像）在同一個界面上顯示,只需在導(dǎo)航圖上一個位置,樣品臺就會移動到該位置。另 外,通過AutoZ和SXI,可更加精確的定位所要分析的位置。一鍵中和和自動高度聚焦（AutoZ）功 能保證了自動分析的精確性,提高了分析效率,分析結(jié)果重復(fù)性很高。
深度剖析的優(yōu)勢：
優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計；
微聚焦X射線束；
靈敏度更高的分析器；
高效的離子槍；
*的雙束中和功能；
帶Zalar Rotation™功能的樣品臺；
微區(qū)的深度剖析功能；
多點(diǎn)的深度剖析功能。
1、無機(jī)物深度剖析：離子槍的工作電壓在0-5KeV范圍內(nèi)可調(diào)。配有低電壓的浮動電位,可用于超薄 薄膜的深度分析。*設(shè)計的槍體彎曲結(jié)構(gòu)可自動屏蔽中性的氬原子。
2、有機(jī)物深度剖析：可選配10kV或者20kV的C60離子槍,也可選用20kV的GCIB（氣體團(tuán)簇離子槍）用于 有機(jī)物的深度剖析。GCIB的特點(diǎn)是可以選擇特定質(zhì)量的團(tuán)簇離子源,并且能過濾中性的粒子。
PHI公司的VersaProbe III不但在微區(qū)XPS分析方面將靈敏度提高了3倍,而且通過變角分析模式和低能氬離子濺射使XPS的深度分辨率達(dá)到極限。如下圖所示,在傳統(tǒng)的分析中,其中光電子被收集的角度范圍為+/-20°,使得它難以分析外層表面。在新的變角分析模式下，+/- 5°窄角收集范圍可允許探測外層淺表面的成分信息。與此同時，全新引進(jìn)的Ar-GCIB可以將離子束能量降低到1keV用于深度剖析。
團(tuán)簇離子槍低能量濺射用于高分辨率的深度分析,如下圖所示,樣品為氧化劑,該譜圖表明C和O均存在與C73H107O12和C33H46N3O5中,但是N僅存在于C73H107O12中,在譜圖中，N元素的分布明顯是不均勻的,這得益于團(tuán)簇離子槍的高深度分辨率。
- SmartSoft-VersaProbe 軟件
- 簡單易學(xué)的流程操作界面,對任何操作者來說都易于使用,讓操作效率更高。
- 直觀的用戶界面。
- 流程設(shè)計引導(dǎo)您完成整個分析過程。
- 集成樣品托移動功能。
- 在保存的圖像上定義分析區(qū)域。
- 直觀的分析任務(wù)列表。
- 單圖上實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)分析和深度剖析功能。
- 集成所有選配件的操控。
- MultiPak 數(shù)據(jù)處理軟件
- 數(shù)據(jù)處理軟件集成AES和XPS數(shù)據(jù)庫：
- 軟件擁有較全面的能譜數(shù)據(jù)庫。采譜分析、線掃描分析、成像和深度剖析的數(shù)據(jù)都能用MultiPak來處理。它強(qiáng)大的功能包括峰的定位，化學(xué)態(tài)信息的提取，定量測試，檢測限的增強(qiáng)等。MultiPak能在設(shè)備自帶的電腦上直接實(shí)時的處理數(shù)據(jù)生成報告，也能安裝在其他電腦上,處理數(shù)據(jù)生成報告。
- 自動譜峰識別。
- XPS化學(xué)態(tài)數(shù)據(jù)庫。
- XPS譜圖去卷積。
- 定量分析。
- 非線性小二乘法擬合。
- 線性小二乘法擬合。
- 目標(biāo)因子分析法。
- 化學(xué)成像分析。
- 批量數(shù)據(jù)處理。
- VP-III 多功能的技術(shù)集成平臺：根據(jù)研發(fā)的需要,以下是 VP-III 的可選擇的配置。
1. 掃描X射線源（標(biāo)配）；
2.進(jìn)樣室（可選配相機(jī)）；
3.離子槍（標(biāo)配）；
4. 能量分析器（標(biāo)配）；
5.CCD相機(jī)（標(biāo)配）；
6a. 標(biāo)準(zhǔn)五軸樣品臺（可選配帶加熱冷卻功能的五軸樣品臺）；
6b. 液氮罐（與6a選配配合使用）
7. 樣品預(yù)處理室（選配）；
8. C60離子槍（選配）；
9.紫外光源UPS（選配）；
10.雙陽極，非單色X射線源（選配）、LEIPS 低能反光電子能譜（選配）；
11.AES電子槍（選配）；
12.20kV團(tuán)簇離子槍（選配）。
- 應(yīng)用領(lǐng)域：包括表面的元素與化學(xué)態(tài)分析（氫和氦除外）
- 固體材料或產(chǎn)品表面的元素成分和化學(xué)態(tài)的定性和定量表征,包括有機(jī)和無機(jī)材料,導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。
- 解析薄膜中的組成元素和化學(xué)態(tài)以及分布情況,包括半導(dǎo)體、薄膜結(jié)構(gòu)、磁介質(zhì)薄膜、光學(xué)鍍膜、裝飾涂料和耐磨涂層等。
- 容易受到電子束破壞的樣品成分分析。
- 能源環(huán)境、生物醫(yī)藥、聚合物（涂料、油脂、膠水、染料、橡膠、塑料等）、無機(jī)半導(dǎo)體和有機(jī)半導(dǎo)體如OLED, OPV等催化材料、硅酸鹽陶瓷、金屬合金、氧化物等材料分析。
