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脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)

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脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)(Pulsed laser deposition, PLD),就是將激光聚焦于靶材上一個較小的面積,利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離,使其能夠脫離靶材而向基底運動,進而在基底上沉積,從而形成薄膜的一種方式。

詳細信息 在線詢價

 

 在眾多的薄膜制備方法中,脈沖激光沉積技術的應用較為廣泛,可用來制備金屬、半導體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質薄膜,甚至還用來制備一些難以合成的材料膜,如金剛石、立方氮化物膜等。

 

PLD系統(tǒng)的核心技術一直被國外壟斷,以往的國產系統(tǒng)在性能上與進口設備存在較大差距。我們的研發(fā)團隊通過與國內科研機構協(xié)作,共同開發(fā)出了性能優(yōu)異的PLD系統(tǒng)。我公司開發(fā)的一臺脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)已順利交付用戶(清華大學)使用,并獲得用戶的好評。

 

 

脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)

 

脈沖激光沉積系統(tǒng)配置:

 

  • 生長室,進樣室可選

  • 水平、垂直兩種靶臺可選

  • 激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選,激光加熱溫度高至1200℃

  • 工藝氣路可以任意搭配

  • 配備高壓RHEED,工作氣壓可達100Pa

  • 可預留法蘭,用于LEED,K-Cell, E-beam等

  • 其它可選項如臭氧發(fā)生器,離子源,掩膜系統(tǒng)等

 

脈沖激光沉積系統(tǒng)特點及優(yōu)勢:

 

  • 可根據(jù)客戶需求定制產品,靈活性高,并提供專業(yè)的技術支持;

  • 靶臺多可以安裝6個靶位,靶材更換靈活;

  • 樣品臺樣品尺寸從10x10mm樣品到2英寸樣品均適用;

  • 進樣室可以存儲多個靶和樣品;

  • 交易過程無需繁瑣的進、出關手續(xù), 交貨期短,性價比高;

 

另外,我們還提供不含RHEED的簡易PLD系統(tǒng),并可根據(jù)用戶的要求定制


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