實驗內(nèi)容：
觀察發(fā)光的光源在磁場的作用下，光源津發(fā)出的每條譜線皆被分裂成偏振化的分譜線，即塞曼效應(yīng)；
測量其分裂后的譜線波長差，來求得電子的荷質(zhì)比（e/m）的值。
技術(shù)參數(shù)：
由框架式純鐵制成，該電磁鐵磁場均勻穩(wěn)定、360°旋轉(zhuǎn)，調(diào)整極為方便?？捎^察（拍）9個明顯的塞曼分裂譜線。
標準具采用高精技術(shù)多層鍍膜；
通光口徑：40mm，灣波長:λ=5461?分辨率:λ/Δλ≥1×105，反射率: R≥

觀察發(fā)光的光源在磁場的作用下，光源津發(fā)出的每條譜線皆被分裂成偏振化的分譜線，即塞曼效應(yīng)；
測量其分裂后的譜線波長差，來求得電子的荷質(zhì)比（e/m）的值。
技術(shù)參數(shù)：由框架式純鐵制成，該電磁鐵磁場均勻穩(wěn)定、360°旋轉(zhuǎn)，調(diào)整極為方便?？捎^察(拍)9個明顯的塞曼分裂譜線。
標準具采用高精技術(shù)多層鍍膜；
通光口徑：40mm，灣波長:λ=5461?分辨率:λ/Δλ≥1×105，反射率: R≥90%，平面度：λ/30，石英隔圈2mm；
望遠系統(tǒng)：讀數(shù)精度0.01mm；
磁場感應(yīng)強度：0-12000高斯，磁軛體積：250×140×200mm；
單路可調(diào)式直流穩(wěn)壓穩(wěn)流電源；
標準具微動調(diào)整架：前后俯仰三維調(diào)節(jié)方便可調(diào)。