絕緣材料介質損耗電容率測試儀 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005

絕緣材料介質損耗電容率測試儀  頻率范圍：

絕緣材料介質損耗電容率測試儀 A型高頻Q表和C型高頻Q表主要區(qū)別

工作特性

   1．Q值測量

  a．Q值測量范圍：2～1023；

  b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔；

c．標稱誤差

   2．電感測量范圍

3．電容測量

   注：大于直接測量范圍的電容測量見使用方法。

   4．信號源頻率覆蓋范圍

   5．Q合格指示預置功能：預置范圍：5～1000

   6．Q表正常工作條件

   a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃；

   b．相對濕度：<80％；

   c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

   7．其他

   a．消耗功率：約25W；

   b．凈重：約7kg；

   c.外型尺寸：（寬×高×深）mm：380×132×280。

影響介電性能的因素
下 面分 別 討論頻率、溫度、濕度和電氣強度對介電性能的影響。
1 頻率
因為 只 有 少數材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內它們的。r和tans幾乎是恒定的，且被用作工程電介質材料，然而一般的電介質材料必須在所使用的頻率下測量其介質損耗因數和電容率。
電 容率 和介質損耗因數的變化是由于介質極化和電導而產生，醉重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導致的界面極化所引起的。
2 溫度
損耗指數在一個頻率下可以出現一個醉大值，這個頻率值與電介質材料的溫度有關。介質損耗因數和電容率的溫度系數可以是正的或負的，這取決于在測量溫度下的介質損耗指數醉大值位置。
3 濕度
極 化 的 程度隨水分的吸收量或電介質材料表面水膜的形成而增加，其結果使電容率、介質損耗因數和直流電導率增大。因此試驗前和試驗時對環(huán)境濕度進行控制是*的
注 :濕 度 的顯著影響常常發(fā)生在1MHz以下及微波頻率范圍內
4 電場強度
存 在 界 面極化時，自由離子的數目隨電場強度增大而增加，其損耗指數醉大值的大小和位置也隨此而變。
在較 高 的頻率下，只要電介質中不出現局部放電，電容率和介質損耗因數與電場強度無關

儀器特點：

☆接線簡單（正接法兩根線，反接可使用一根線），所有電纜線均有接地屏蔽，所以都能拖地使用，測量電壓緩升、緩降，全自動測量，結果直讀，無須換算。

☆多種測量方式 可選擇正/反接線、內/外標準電容器和內/外試驗電壓進行測量。正接線可測量高壓介損。

☆ 抗震性能 儀器可承受長途運輸中強烈震動顛簸而不會損壞。

☆ 抗干擾能力強 采用自動跟蹤干擾抵償電路，將矢量運算法與移相法結合，有效地消除強電場干擾對測量的影響，適用于500kV及其以下電站的現場試驗。

☆CVT測量 *自激法測量CVT功能，不需外加任何設備，可完成不可拆頭CVT的測量。一次接線（三根電纜，不用倒線），一個測量過程（大約1分鐘），兩個終測量結果（C1和C2的介損及電容值）。測量過程中文顯示，能實時監(jiān)測自激電流值和試驗電壓（高壓）值。能消除引線對測試的影響，測量結果準確可靠。

☆ 安全措施

（1）高壓保護：試品短路、擊穿或高壓電流波動，能迅速切斷高壓輸出。

（2）CVT保護：設定自激電壓的過流點，一旦超出設置的電流值，儀器自動退出測量，不會損壞設備。

（3）接地檢測：儀器有接地檢測功能，未接地時不能升壓測量。

（4）防誤操作：具備防誤操作設計，能判別常見接線錯誤，安全報警。

（5）防“容升”：測量大容量試品時會出現電壓抬高的“容升”效應，儀器能自動跟蹤輸出電壓，保持試驗電壓恒定。

☆ VFD顯示 采用新穎的大屏幕VFD點陣顯示器，在嚴冬和盛夏都能清晰顯示。全中文操作菜單，操作提示各種警告信息，直觀明了，不需查閱說明書即可操作。

☆打印 儀器附有微型打印機，以中文方式打印輸出測量結果及狀態(tài)。

☆RS232 儀器具有RS232接口，與計算機連接便于數據的統(tǒng)計和處理及保存。

☆可選購與計算機通信應用程序。

電橋測量靈敏度

    電橋在使用過程中，靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度，為保證測量準確度，

希望電橋靈敏度達到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓，標準電容量

成正比。

    在下面的計算公式中，用戶可根據實際使用情況估算出電橋靈敏度水平，在這

個水平上的電容與介質損耗因數的微小變化都能夠反應出來。

          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

         式中：Ｕ為測量電壓                     伏特（Ｖ）

ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                            

          Ｃｎ標準電容器容量                    皮法（pＦ）

          Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10            安培（Ａ）

          Ｒｇ平衡指另儀內阻約1500              歐姆（W）

          Ｒ４橋臂R4電阻值3183                 歐姆（W）

          Ｃｘ被測試品電容值                    皮法（ｐF）

介質損耗（dielectric loss ）指的是絕緣材料在電場作用下，由于介質電導和介質極化的滯后效應，在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失，簡稱介損。

介質損耗因數（dielectric loss factor）指的是衡量介質損耗程度的參數。

高頻電橋
由于它不再是一個高壓電橋，因此承受電壓U₁的臂能容易地引人可調元件;替代法在此適用
 還應指出，帶有分開的初級繞組的電橋允許電源和檢測器互換位置。其平衡與在次級繞組中對應
的安匝數的補償相符.

低頻電橋

 一般為高壓電橋，這不僅是由于靈敏度的緣故，也因為在低頻下正是高電壓技術特別對電介質損耗

關注的問題。電容臂和測量臂兩者的阻抗大小在數量級上相差很多，結果，絕大部分電壓都施加在電容

Cx和 C}上，使電壓分配不平衡 上面給出的電橋平衡條件只是當低壓元件對高壓元件屏蔽時才成

立。同時，屏蔽必須接地，以保證平衡穩(wěn)定。如圖A. 2所示。屏蔽與使用被保護的電容 C、和 C、是一

致的，這個保護對于Ch來說是*的。

 由于選擇不同的接地方法，實際上形成了兩類電橋。

特點：

◆ 優(yōu)化的測試電路設計使殘值更小

◆ 高頻信號采用數碼調諧器和頻率鎖定技術

◆ LED 數字讀出品質因數，手動/自動量程切換

◆ 自動掃描被測件諧振點，標頻單鍵設置和鎖定，大大提高測試速度

加到試樣上的電極
電極可選用任意一種。如果不用保護環(huán)。而且試樣上下的兩個電極難以對齊時，其中一個電極應比另一個電極大些。已經加有電極的試樣應放置在兩個金屬電極之間，這兩個金屬電極要比試樣上的電極稍小些。對于平板形和圓柱形這兩種不同電極結構的電容計算公式以及邊緣電容近似計算的經驗公式由表飛給出。對于 介 質 損耗因數的測量，這種類型的電極在高頻下不能滿足要求，除非試樣的表面和金屬板都非常平整。電極系統(tǒng)也要求試樣厚度均勻

試樣上不加電極
表 面 電導 率很低的試樣可以不加電極而將試樣插人電極系統(tǒng)中測量，在這個電極系統(tǒng)中，試樣的一側或兩側有一個充滿空氣或液體的間隙。
平 板 電極 或圓柱形電極結構的電容計算公式由表3給出。
下 面 兩 種型式的電極裝置特別合適