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GDAT-A 介質(zhì)損耗和介電常數(shù)測(cè)試儀

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介質(zhì)損耗和介電常數(shù)測(cè)試儀 介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

介質(zhì)損耗和介電常數(shù)測(cè)試儀 (測(cè)試夾具)是測(cè)試系統(tǒng)的核心檢測(cè)部件,它由一個(gè)LCD數(shù)字顯示的微測(cè)量裝置和一對(duì)經(jīng)精密加工的、間距可調(diào)的平板電容器極片組成。平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品,微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度。通過(guò)被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化的量化,測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值。從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。BH916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是本公司研制的更新?lián)Q代產(chǎn)品,精密的加工設(shè)計(jì)、精確的LCD數(shù)字讀出、一鍵式清零功能,克服了機(jī)械刻度讀數(shù)誤差和圓筒形電容裝置不可避免的測(cè)量誤差。

 

 

介質(zhì)損耗和介電常數(shù)測(cè)試儀 工作特性

   1.Q值測(cè)量

  a.Q值測(cè)量范圍:2~1023;

  b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔;

c.標(biāo)稱誤差

 

A(高頻)

C(工頻)

頻率范圍

25kHz~10MHz

100kHz~10MHz

固有誤差

≤5%±滿度值的2%

≤5%±滿度值的2%

工作誤差

≤7%±滿度值的2%

≤7%±滿度值的2%

頻率范圍

10MHz~60MHz

10MHz~160MHz

固有誤差

≤6%±滿度值的2%

≤6%±滿度值的2%

工作誤差

≤8%±滿度值的2%

≤8%±滿度值的2%

   2.電感測(cè)量范圍

A

C

14.5nH~8.14H

4.5nH~140mH

3.電容測(cè)量

 

A

C

直接測(cè)量范圍

1~460p

1~205p

主電容調(diào)節(jié)范圍

40~500pF

18~220pF

準(zhǔn)確度

150pF以下±1.5pF;

150pF以上±1%

150pF以下±1.5pF

150pF以上±1%

   注:大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)使用方法。

   4.信號(hào)源頻率覆蓋范圍

    

A

C

頻率范圍

10kHz~60MHz

0.1~160MHz

CH1

10~99.9999kHz

0.1~0.999999MHz

CH2

100~999.999kHz

1~9.99999MHz

CH3

1~9.99999MHz

10~99.9999MHz

CH4

10~60MHz

100~160MHz

頻率指示誤差

3×10-5±1個(gè)字

 

   5.Q合格指示預(yù)置功能:預(yù)置范圍:5~1000

   6.Q表正常工作條件

   a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃;

   b.相對(duì)濕度:<80%;

   c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。

   7.其他

   a.消耗功率:約25W;

   b.凈重:約7kg;

   c.外型尺寸:(寬×高×深)mm:380×132×280。

 

 

工作原理及特點(diǎn):

基于串聯(lián)諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測(cè)試系統(tǒng)的二次儀表,其數(shù)碼化主調(diào)電容器的創(chuàng)新設(shè)計(jì)代表了行業(yè)的成就,隨之帶來(lái)了頻率、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有先進(jìn)的人機(jī)界面,采用LCD液晶屏顯示各測(cè)量因子:Q值、電感L、主調(diào)電容器C、測(cè)試頻率F、諧振趨勢(shì)指針等。高頻信源采用直接數(shù)字合成,測(cè)試頻率10KHz-60MH或200KHz-160MHz,頻率精度高達(dá)1×10-6。國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006規(guī)定了用Q表法來(lái)測(cè)定電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε),把被測(cè)材料作為平板電容的介質(zhì),與輔助電感等構(gòu)成串聯(lián)諧振因子引入Q表的測(cè)試回路,以獲取測(cè)試靈敏度。因而Q表法的測(cè)試結(jié)果更真實(shí)地反映了介質(zhì)在高頻工作狀態(tài)下的特征。

 

電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)

線圈號(hào)

測(cè)試頻率

Q值

分布電容p

電感值

9

100KHz

98

9.4

25mH

8

400KHz

138

11.4

4.87mH

7

400KHz

202

16

0.99mH

6

1MHz

196

13

252μH

5

2MHz

198

8.7

49.8μH

4

4.5MHz

231

7

10μH

3

12MHz

193

6.9

2.49μH

2

12MHz

229

6.4

0.508μH

1

25MHz
50MHz

233
211

0.9

0.125μH

 

 

相對(duì) 電 容 率 relativep ermittivity
εr
電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時(shí),其電容 Cx與同樣電極構(gòu)形的真空電容Co 之比:

       Cx

εr = ——  ----------(1)

       Co

式 中 :
εr  — 相對(duì)電容率;
CX  — 充有絕緣材料時(shí)電容器的電極電容;
Co  — 真空中電容器的電極電容。
在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下,不含二氧化碳的于燥空氣的相對(duì)電容率εr等于1.00053。因此,用這種電極構(gòu)形在空氣中的電容Ca來(lái)代替Co測(cè)量相對(duì)電容率εr時(shí),也有足夠的精確度。
在 一 個(gè) 測(cè)量系統(tǒng)中,絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對(duì)電容率εr與真空電氣常數(shù)εo的乘積.
在 S I制 中,jue對(duì)電容率用法/米(F/m )表示。而且。在SI單位中,電氣常數(shù)εo為:
                         1

ε。=8. 854 X 10 12 F/m≈------ ×109 F/m     ----------(2)

                        36π

在本標(biāo)準(zhǔn)中,用皮法和厘米來(lái)計(jì)算電容,真空電氣常數(shù)為:

εo= 0. 088 54 pF/cm

 

 

測(cè)量方法的選擇
測(cè)量 電 容 率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法可分成兩種:零點(diǎn)指示法和諧振法。
1 零點(diǎn)指示法適用于頻率不超過(guò)50 MHz時(shí)的測(cè)量。測(cè)量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)可用替代法;也就
是在接人試樣和不接試樣兩種狀態(tài)下,調(diào)節(jié)回路的一個(gè)臂使電橋平衡。通?;芈凡捎梦髁蛛姌?、變壓器
電橋(也就是互感藕合比例臂電橋)和并聯(lián)T型網(wǎng)絡(luò)。變壓器電橋的優(yōu)點(diǎn):采用保護(hù)電極不需任何外加
附件或過(guò)多操作,就可采用保護(hù)電極;它沒(méi)有其他網(wǎng)絡(luò)的缺點(diǎn)。
2 諧振法適用于10 kHz一幾百M(fèi)Hz的頻率范圍內(nèi)的測(cè)量。該方法為替代法測(cè)量,常用的是變電抗
法。但該方法不適合采用保護(hù)電極。

 

北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司

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