電容率與介質(zhì)損耗介電常數(shù)測(cè)試儀 讀數(shù)清晰,無(wú)須換算,操作簡(jiǎn)便,特別適合電子元器件的質(zhì)量分析,品質(zhì)控制,科研生產(chǎn),也可用于高校的電子信息,電子通信,材料科學(xué)等專業(yè)作科研實(shí)驗(yàn)儀器.

電容率與介質(zhì)損耗介電常數(shù)測(cè)試儀  A型高頻Q表和C型高頻Q表主要區(qū)別

      A/C高頻Q表能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位。

電容率與介質(zhì)損耗介電常數(shù)測(cè)試儀  頻率范圍：

技術(shù)指標(biāo)：

☆Q值測(cè)量：

a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。              

b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。

c．標(biāo)稱誤差

      頻率范圍：20kHz～10MHz；       

固有誤差：≤5％±滿度值的2％；工作誤差：≤7％±滿度值的2％；

      頻率范圍：10MHz～60MHz；     

      固有誤差：≤6％±滿度值的2％；工作誤差：≤8％±滿度值的2％。

☆電感測(cè)量：

a．測(cè)量范圍：14.5nH~8.14H。

b．分    檔：分七個(gè)量程。

      0.1～1μH，    1～10μH，    10～100μH，  

      0.1～lmH，     1～10mH，     10～100mH，   100 mH～1H。

☆電容測(cè)量：

a．測(cè)量范圍：1～460pF(460pF以上的電容測(cè)量見使用規(guī)則)；

b．電容量調(diào)節(jié)范圍

      主調(diào)電容器：30～500pF；                

準(zhǔn)確度：150pF以下±1.5pF；150pF以上±1％；

      注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見使用規(guī)則

☆振蕩頻率：

a．振蕩頻率范圍：10kHz～50MHz；

b．頻率分段（虛擬）

10～99.9999kHz

100～999.999kHz

1～9.99999MHz

10～60MHz

• 頻率誤差：3×10-5±1個(gè)字。

☆儀器正常工作條件

a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃；            

b. 相對(duì)濕度：<80％；           

c. 電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

☆其他

a．消耗功率：約25W；            

• 凈重：約7kg；         

c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

☆ Q合格指示預(yù)置功能

預(yù)置范圍：5～1000。

☆主要配置：

a.測(cè)試主機(jī)一臺(tái)；

b.電感9只；

c.夾具一 套

使用方法

高頻Q表是多用途的阻抗測(cè)量?jī)x器，為了提高測(cè)量精度，除了使Q表測(cè)試回路本身殘余參量盡可能地小，使耦合回路的頻響盡可能地好之外，還要掌握正確的測(cè)試方法和殘余參數(shù)修正方法。

1．測(cè)試注意事項(xiàng)

a．本儀器應(yīng)水平安放；

b．如果你需要較精確地測(cè)量，請(qǐng)接通電源后，預(yù)熱30分鐘；

c．調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開關(guān)時(shí)，當(dāng)接近諧振點(diǎn)時(shí)請(qǐng)緩調(diào)；

d．被測(cè)件和測(cè)試電路接線柱間的接線應(yīng)盡量短，足夠粗，并應(yīng)接觸良好、可靠，以減少因接線的電阻和分布參數(shù)所帶來(lái)的測(cè)量誤差；

e．被測(cè)件不要直接擱在面板頂部，離頂部一公分以上，必要時(shí)可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊；

f．手不得靠近試件，以免人體感應(yīng)影響造成測(cè)量誤差，有屏蔽的試件，屏蔽罩應(yīng)連接在低電位端的接線柱。

2．高頻線圈的Q值測(cè)量（基本測(cè)量法）

 安全措施

（1）高壓保護(hù)：試品短路、擊穿或高壓電流波動(dòng)，能迅速切斷高壓輸出。

（2）CVT保護(hù)：設(shè)定自激電壓的過(guò)流點(diǎn)，一旦超出設(shè)置的電流值，儀器自動(dòng)退出測(cè)量，不會(huì)損壞設(shè)備。

（3）接地檢測(cè)：儀器有接地檢測(cè)功能，未接地時(shí)不能升壓測(cè)量。

（4）防誤操作：具備防誤操作設(shè)計(jì)，能判別常見接線錯(cuò)誤，安全報(bào)警。

（5）防“容升”：測(cè)量大容量試品時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應(yīng)，儀器能自動(dòng)跟蹤輸出電壓，保持試驗(yàn)電壓恒定。

介電常數(shù):

用于衡量絕緣體儲(chǔ)存電能的性能.它是兩塊金屬板之間以絕緣材料為介質(zhì)時(shí)的電容量與同樣的兩塊板之間以空氣為介質(zhì)或真空時(shí)的電容量之比。介電常數(shù)代表了電介質(zhì)的極化程度，也就是對(duì)電荷的束縛能力，介電常數(shù)越大，對(duì)電荷的束縛能力越強(qiáng)。

電容器兩極板之間填充的介質(zhì)對(duì)電容的容量有影響，而同一種介質(zhì)的影響是相同的，介質(zhì)不同，介電常數(shù)不同

介質(zhì)損耗：

絕緣材料在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡(jiǎn)稱介損。在交變電場(chǎng)作用下，電介質(zhì)內(nèi)流過(guò)的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數(shù)角Φ）的余角δ稱為介質(zhì)損耗角。

損耗因子也指耗損正切，是交流電被轉(zhuǎn)化為熱能的介電損耗（耗散的能量）的量度，一般情況下都期望耗損因子低些好  。

儀器特點(diǎn)：

1 雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。

2 雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。

3 雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。

4 自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。

5 全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。

6 DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。

7 計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路*化 —使測(cè)試回路 殘余電感減至低，** Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。

試驗(yàn)報(bào)告
 試驗(yàn)報(bào)告中應(yīng)給出下列相關(guān)內(nèi)容:
 絕緣材料的型號(hào)名稱及種類、供貨形式、取樣方法、試樣的形狀及尺寸和取樣 日期(并注明試樣厚  度和試樣在與電極接觸的表面進(jìn)行處理的情況);
 試樣條件處理的方法和處理時(shí)間;
 電極裝置類型，若有加在試樣上的電極應(yīng)注明其類型;
 測(cè)量?jī)x器;
 試驗(yàn)時(shí)的溫度和相對(duì)濕度以及試樣的溫度;
 施加的電壓;
 施加的頻率;
 相對(duì)電容率ε(平均值);
 介質(zhì)損耗因數(shù) tans(平均值);
 試驗(yàn) 日期 ;
 相對(duì)電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)值以及由它們計(jì)算得到的值如損耗指數(shù)和損耗角，必要時(shí)，應(yīng)給出與溫度和頻率的關(guān)系。

    西林電橋是測(cè)量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的經(jīng)典的裝置。它可使用從低于工頻(50 Hz-60 Hz)直至 100 kHz的頻率范圍，通常測(cè)定 50 pF-1 000 pF的電容(試樣或被試設(shè)備通常所具有的電容)這是一個(gè)四臂回路(圖A. 1)。其中兩個(gè)臂主要是電容(未知電容 Cx和一個(gè)無(wú)損耗電容C,)。另外兩臂(通常稱之為測(cè)量臂)由無(wú)感電阻R，和 R:組成，電阻 R,在未知電容 Cx的對(duì)邊上，測(cè)量臂至少被一個(gè)電容 C,分流 一般地說(shuō)，電容 C:和兩個(gè)電阻R,和R:中的一個(gè)是可調(diào)的。

    如果采用電阻R、和(純)電容 C 的串聯(lián)等值回路來(lái)表示電容 Cx，則圖 A. 1所示的電橋平衡時(shí)導(dǎo)出 :

       R₁

C_s=C_n·——

       R₂

和tanδ_x=ωC_SR_S=ωC₁R₁

如果電阻 R2被一個(gè)電容C2分流，則tanδ = 的公式變?yōu)椋?/span>

Tanδ_x=ωC₁R₁---ωC₂R₂

由于頻率范圍的不同，實(shí)際上電橋構(gòu)造會(huì)有明顯的不同。例如一個(gè)50 pF-1 000 pF的電容在50 Hz時(shí)的阻抗為 60 MΩ-3 MΩ，在 100 kHz時(shí)的阻抗為 3 000 Ω-1 500Ω.

頻率為 100 kHz時(shí)，橋的四個(gè)臂容易有相同數(shù)量級(jí)的阻抗，而在 50 Hz-60 Hz的頻率范圍內(nèi)則是不可能的。因此，出現(xiàn)了低頻和(相對(duì))高頻兩種不同形式的電橋.

電氣絕緣材料的性能和用途

 1、電介質(zhì)的用途

 電介質(zhì)一般被用在兩個(gè)不同的方面:

 用作電氣回路元件的支撐，并且使元件對(duì)地絕緣及元件之間相互絕緣;

 用作電容器介質(zhì)

2、影響介電性能的因素

 下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對(duì)介電性能的影響。

2.1頻率

 因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的 。r和 tans幾乎是恒定的，且被用作工程電介質(zhì)材料，然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測(cè)量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。

 電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生，重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的.

2.2溫度

 損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)大值，這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的，這取決于在測(cè)量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)大值位置。

2.3濕度

 極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加，其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制是*的.

 注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在 1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)

2.4電場(chǎng)強(qiáng)度

 存在界面極化時(shí)，自由離子的數(shù)目隨電場(chǎng)強(qiáng)度增大而增加，其損耗指數(shù)大值的大小和位置也隨此而變。

 在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場(chǎng)強(qiáng)度無(wú)關(guān)