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GDAT-A 高頻電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀

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高頻電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀 自動化測量技術(shù) -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。
全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。

詳細(xì)信息 在線詢價

高頻電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀   儀器特點:

☆接線簡單(正接法兩根線,反接可使用一根線),所有電纜線均有接地屏蔽,所以都能拖地使用,測量電壓緩升、緩降,全自動測量,結(jié)果直讀,無須換算。

☆多種測量方式 可選擇正/反接線、內(nèi)/外標(biāo)準(zhǔn)電容器和內(nèi)/外試驗電壓進(jìn)行測量。正接線可測量高壓介損。

☆ 抗震性能 儀器可承受長途運輸中強(qiáng)烈震動顛簸而不會損壞。

☆ 抗干擾能力強(qiáng) 采用自動跟蹤干擾抵償電路,將矢量運算法與移相法結(jié)合,有效地消除強(qiáng)電場干擾對測量的影響,適用于500kV及其以下電站的現(xiàn)場試驗。

☆CVT測量 *自激法測量CVT功能,不需外加任何設(shè)備,可完成不可拆頭CVT的測量。一次接線(三根電纜,不用倒線),一個測量過程(大約1分鐘),兩個終測量結(jié)果(C1和C2的介損及電容值)。測量過程中文顯示,能實時監(jiān)測自激電流值和試驗電壓(高壓)值。能消除引線對測試的影響,測量結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

高頻電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀 安全措施

(1)高壓保護(hù):試品短路、擊穿或高壓電流波動,能迅速切斷高壓輸出。

(2)CVT保護(hù):設(shè)定自激電壓的過流點,一旦超出設(shè)置的電流值,儀器自動退出測量,不會損壞設(shè)備。

(3)接地檢測:儀器有接地檢測功能,未接地時不能升壓測量。

(4)防誤操作:具備防誤操作設(shè)計,能判別常見接線錯誤,安全報警。

(5)防“容升”:測量大容量試品時會出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應(yīng),儀器能自動跟蹤輸出電壓,保持試驗電壓恒定。

☆ VFD顯示 采用新穎的大屏幕VFD點陣顯示器,在嚴(yán)冬和盛夏都能清晰顯示。全中文操作菜單,操作提示各種警告信息,直觀明了,不需查閱說明書即可操作。

☆打印 儀器附有微型打印機(jī),以中文方式打印輸出測量結(jié)果及狀態(tài)。

☆RS232 儀器具有RS232接口,與計算機(jī)連接便于數(shù)據(jù)的統(tǒng)計和處理及保存。

☆可選購與計算機(jī)通信應(yīng)用程序。

 

 

 

 

 

 技術(shù)指標(biāo)

 

1  測量范圍及誤差

 

    本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對濕度為30%-80%條件下,應(yīng)滿足

 

下列表中的技術(shù)指示要求。

 

    在Cn=100pF    R4=3183.2(W)(即10K/π)時

 

    測量項目       測量范圍             測量誤差               

 

    電容量Cx       40pF--20000pF      ±0.5%  Cx±2pF     

 

    介質(zhì)損耗tgd      0~1              ±1.5%tgdx±0.0001

 

    在Cn=100pF      R4=318.3(W)(即1K/π)時

 

    測量項目       測量范圍             測量誤差               

 

    電容量Cx       4pF--2000pF      ±0.5%  Cx±3pF     

 

    介質(zhì)損耗tgd      0~0.1          ±1.5%tgdx±0.0001

 

 

 

2  電橋測量靈敏度

 

    電橋在使用過程中,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測量準(zhǔn)確度,

 

希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓,標(biāo)準(zhǔn)電容量

 

成正比。

 

    在下面的計算公式中,用戶可根據(jù)實際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這

 

個水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來。

 

          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

 

         式中:U為測量電壓                     伏特(V)

 

ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                            

 

          Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量                    皮法(pF)

 

          Ig通用指另儀的電流5X10-10            安培(A)

 

          Rg平衡指另儀內(nèi)阻約1500              歐姆(W)

 

          R4橋臂R4電阻值3183                 歐姆(W)

 

          Cx被測試品電容值                    皮法(pF)

 

3 電容量及介損顯示精度:

 

    電容量: ±0.5%×tgδx±0.0001。

 

    介  損: ±0.5%tgdx±1×10-4

 

4 輔橋的技術(shù)特性:

 

    工作電壓±12V,50Hz

 

    輸入阻抗>1012 W

 

    輸出阻抗>0.6 W

 

    放大倍數(shù)>0.99

 

    不失真跟蹤電壓  0~12V(有效值)

 

5 指另裝置的技術(shù)特性:

 

    工作電壓±12V

 

    在50Hz時電壓靈敏度不低于1X10-6V/格, 電流靈敏度不低于2X10-9A/格

 

    二次諧波  減不小于25db

 

    三次諧波  減不小于50db

 

 

 

主要特點:

空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。

 

 

 

 

 

 

電橋的介紹:

   西林電橋是測量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的經(jīng)典的裝置。它可使用從低于工頻(50 Hz-60 Hz)直至 100 kHz的頻率范圍,通常測定 50 pF-1 000 pF的電容(試樣或被試設(shè)備通常所具有的電容)這是一個四臂回路(圖A. 1)。其中兩個臂主要是電容(未知電容 Cx和一個無損耗電容C,)。另外兩臂(通常稱之為測量臂)由無感電阻R,和 R:組成,電阻 R,在未知電容 Cx的對邊上,測量臂至少被一個電容 C,分流 一般地說,電容 C:和兩個電阻R,和R:中的一個是可調(diào)的。

    如果采用電阻R、和(純)電容 C 的串聯(lián)等值回路來表示電容 Cx,則圖 A. 1所示的電橋平衡時導(dǎo)出 :

       R1

Cs=Cn·——

       R2

和tanδx=ωCSRS=ωC1R1

如果電阻 R2被一個電容C2分流,則tanδ = 的公式變?yōu)椋?/span>

Tanδx=ωC1R1---ωC2R2

由于頻率范圍的不同,實際上電橋構(gòu)造會有明顯的不同。例如一個50 pF-1 000 pF的電容在50 Hz時的阻抗為 60 MΩ-3 MΩ,在 100 kHz時的阻抗為 3 000 Ω-1 500Ω.

頻率為 100 kHz時,橋的四個臂容易有相同數(shù)量級的阻抗,而在 50 Hz-60 Hz的頻率范圍內(nèi)則是不可能的。因此,出現(xiàn)了低頻和(相對)高頻兩種不同形式的電橋.

 

  低頻電橋

 一般為高壓電橋,這不僅是由于靈敏度的緣故,也因為在低頻下正是高電壓技術(shù)特別對電介質(zhì)損耗

關(guān)注的問題。電容臂和測量臂兩者的阻抗大小在數(shù)量級上相差很多,結(jié)果,絕大部分電壓都施加在電容

Cx和 C}上,使電壓分配不平衡 上面給出的電橋平衡條件只是當(dāng)?shù)蛪涸Ω邏涸帘螘r才成

立。同時,屏蔽必須接地,以保證平衡穩(wěn)定。如圖A. 2所示。屏蔽與使用被保護(hù)的電容 C、和 C、是一

致的,這個保護(hù)對于Ch來說是*的。

 由于選擇不同的接地方法,實際上形成了兩類電橋。

 

帶屏蔽的簡單西林電橋

 橋的B點(在測量臂邊的電源接線端子)與屏蔽相連并接地。

 屏蔽能很好地起到防護(hù)高壓邊影響的作用,但是增加了屏蔽與接到測量臂接線端 M和 N的各根導(dǎo)線之間電容.此電容承受跨接測量臂兩端的電壓 這樣會引人一個通常使 tans的測量精度限于0.1%數(shù)量級的誤差,當(dāng)電容CX和CN不平衡時尤為顯著。

 

 

帶瓦格納(Wagner)接地電路的西林電橋

 圖 A.2示出了使電橋測量臂接線端與屏蔽電位相等的方法。這種方法是通過使用外接輔助橋臂ZA、ZB(瓦格納接地電路),并使這兩個輔助橋臂的中間點 P接到屏蔽并接地。調(diào)節(jié)輔助橋臂(實際為

ZB)以使在 ZA和 ZB上的電壓分別與電橋的電容臂和測量臂兩端的電壓相等.顯然,這個解決方法包括兩個橋即主橋 AMNB和輔橋 AMPB(或 ANPB)同時平衡。通過檢測器從一個橋轉(zhuǎn)換到另一個橋逐

次地逼近平衡而終達(dá)到二者平衡.用這種方法精度可以提高一個數(shù)量級,這時,實際上該精度只決定于電橋元件的精密度平衡 用這種方法精度可以提高一個數(shù)量級,這時,實際上該精度只決定

于電橋元件的精密度。

     必須指出,只有當(dāng)電源的兩端可以對地絕緣時才使用上述特殊的解決方法。如果不可能對地絕緣,則必須使用更復(fù)雜的裝置(雙屏蔽電橋)。

 

高頻西林電橋

    這種電橋通常在中等的電壓下工作,是比較靈活方便的一種電橋;通常電容 CN是可變的(在高壓電橋中電容 CN通常是固定的),比較容易采用替代法。

    由于不期望電容的影響隨頻率的增加而增加,因此仍可有效使用屏蔽和瓦格納接地線路。

 

 

高頻電橋
由于它不再是一個高壓電橋,因此承受電壓U1的臂能容易地引人可調(diào)元件;替代法在此適用
 還應(yīng)指出,帶有分開的初級繞組的電橋允許電源和檢測器互換位置。其平衡與在次級繞組中對應(yīng)
的安匝數(shù)的補償相符.

 

 

 

 

GB/T 1409-2006標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在15 Hz-300 MHz的頻率范圍內(nèi)測量電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)的方法,并由此計算某些數(shù)值 ,如損耗指數(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)中所敘述的某些方法,也能用于其他頻率下測量.

    本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量液體、易熔材料以及固體材料。測試結(jié)果與某些物理條件有關(guān),例如頻率、溫度、

濕度,在特殊情況下也與電場強(qiáng)度有關(guān)有時在超過 1 000 V的電壓下試驗,則會引起一些與電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)無關(guān)的效應(yīng),對此不予論述.

 

 

 

  電介質(zhì)的用途

 電介質(zhì)一般被用在兩個不同的方面:

 用作電氣回路元件的支撐,并且使元件對地絕緣及元件之間相互絕緣;

 用作電容器介質(zhì)

 

 

 

頻率范圍:

方法

頻率的推薦范圍

試樣形式

1、西林電橋

0.10 MHZ及以下

板或管

 

2、變壓器電橋

15 HZ~50 MHZ

 

3、并聯(lián)T型網(wǎng)絡(luò)

50 KHZ~30 MHZ

 

4、諧振法

10 KHZ~260 MHZ

 

5、變電納法

10 KHZ~100 MHZ

 

 

 

北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司

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手機(jī):18911395947

聯(lián)系人:陳丹

電話:400-606-1323

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