Uniscan M470 微區(qū)掃描電化學(xué)工作站
掃描電化學(xué)顯微系統(tǒng)（SECM）
交流掃描電化學(xué)顯微鏡系統(tǒng)（ac-SECM）
間歇接觸掃描電化學(xué)顯微鏡系統(tǒng)（ic-SECM）
微區(qū)電化學(xué)阻抗測(cè)試系統(tǒng)(LEIS)
掃描振動(dòng)點(diǎn)擊測(cè)試系統(tǒng)（SVET）
電解液微滴掃描系統(tǒng)（SDS）
交流電解液微滴掃描系統(tǒng)（ac-SDS）
掃描開爾文探針測(cè)試系統(tǒng)（SKP）
非觸式微區(qū)形貌測(cè)試系統(tǒng)（OSP）
出色的性能
快速精準(zhǔn)的閉環(huán)定位系統(tǒng)為電化學(xué)掃描探針納米級(jí)研究的需求而特別設(shè)計(jì)。結(jié)合Uniscan *的混合型32-bit DAC技術(shù)，用戶可以選擇合適實(shí)驗(yàn)研究的合適配置
先進(jìn)和靈活的工作平臺(tái)
系統(tǒng)可提供9種探針技術(shù)，使得M470成為非常靈活的電化學(xué)掃描灘鎮(zhèn)工作平臺(tái)。
全面的附件
7種模塊可選，3種不同電解池，各式探針，長(zhǎng)距顯微鏡以及后處理數(shù)據(jù)分析軟件。
M470新產(chǎn)品特征
SECM自動(dòng)處理曲線
SECM用戶自定義處理曲線步長(zhǎng)變化
高分辨率讀取
手動(dòng)或自動(dòng)調(diào)節(jié)相位
M470同時(shí)具備如下特點(diǎn)：
傾斜校正
X或Y曲線相減（5階多項(xiàng)式）
2D或3D快速傅里葉變化
實(shí)驗(yàn)，探針移動(dòng)和區(qū)域繪圖的自動(dòng)排序
圖形實(shí)驗(yàn)測(cè)序引擎（GESE）
支持多區(qū)域掃描
所有實(shí)驗(yàn)多個(gè)數(shù)據(jù)視圖
峰值分析
M470是由Uniscan儀器開發(fā)的第四代掃描探針系統(tǒng)，具有更高規(guī)格和更多探針技術(shù)。
M470技術(shù)參數(shù)
工作站（所有技術(shù)）
掃描范圍（x,y,z） 大于100nm
掃描驅(qū)動(dòng)分辨率 0.1nm
閉環(huán)定位 線性零滯后編碼器，直接實(shí)時(shí)讀出x,z和y位移
軸分辨率（x,y,z） 20nm
大掃描速度 12.5mm/s
測(cè)量分辨率 32-bit解碼器@高達(dá)40MHz
壓電（ic-和ac-掃描探針技術(shù)）
振動(dòng)范圍 20nm~ 2μm峰與峰之間1nm增量
小振動(dòng)分辨率 0.12nm(16-bit DAC,4μm)
壓電晶體伸展 100μm
定位分辨率 0.09nm(20-bit DAC ,100μm)
機(jī)電
掃描前端 500×420×675mm(H×W×D)
掃描控制單元 275×450×400mm(H×W×D)
功率 250W
Uniscan M470 微區(qū)掃描電化學(xué)工作站
