薄膜高壓介電常數(shù)測(cè)試儀裝置：
2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4
薄膜高壓介電常數(shù)測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo)：
2.1 tanδ和ε性能：
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。
2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：
tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50
2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度（1MHz）：
tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%
工作頻率范圍：50kHz～50MHz 四位數(shù)顯，壓控振蕩器
Q值測(cè)量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率
可調(diào)電容范圍：40～500 pF ΔC±3pF
電容測(cè)量誤差：±1%±1pF
Q表殘余電感值：約20nH
薄膜高壓介電常數(shù)測(cè)試儀特點(diǎn)：
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。
◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
薄膜高壓介電常數(shù)測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz～160MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。
絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。
同樣，由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過公式計(jì)算得到介電常數(shù)。
標(biāo)簽：
介電常數(shù)測(cè)試儀
高壓介電常數(shù)測(cè)試儀
塑料介電常數(shù)測(cè)試儀
高頻介電常數(shù)測(cè)試儀
