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ZD03-8 數(shù)字式四探針測(cè)試儀 半導(dǎo)體材料電阻性能測(cè)試儀 單晶硅物理測(cè)試儀

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儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成,測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示,亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析,然后以表格,圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。

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數(shù)字式四探針測(cè)試儀 半導(dǎo)體材料電阻性能測(cè)試儀 單晶硅物理測(cè)試儀 半導(dǎo)體材料電阻率檢測(cè)儀 方塊電阻薄層電阻測(cè)試儀

型號(hào)ZD03-8

8數(shù)字式四探針測(cè)試儀 半導(dǎo)體材料電阻性能測(cè)試儀 單晶硅物理測(cè)試儀 半導(dǎo)體材料電阻率檢測(cè)儀 方塊電阻薄層電阻測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。

儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成,測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示,亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析,然后以表格,圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。

儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。

本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。

8數(shù)字式四探針測(cè)試儀 半導(dǎo)體材料電阻性能測(cè)試儀 單晶硅物理測(cè)試儀 半導(dǎo)體材料電阻率檢測(cè)儀 方塊電阻薄層電阻測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。

儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成,測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示,亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析,然后以表格,圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。

儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。

本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。

技 術(shù) 指 標(biāo):

測(cè)量范圍電阻率:10-4105Ω.cm(可擴(kuò)展)

方塊電阻:10-3106Ω/(可擴(kuò)展);

電導(dǎo)率:10-5104s/cm

電阻:10-4105Ω;

可測(cè)晶片直徑140mmX150mm(S-2A型測(cè)試臺(tái))

200mmX200mm(S-2B型測(cè)試臺(tái));

400mmX500mm(S-2C型測(cè)試臺(tái))

恒流源電流量程分為1μA、10μA100μA、1mA、10mA、100mA六檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表量程及表示形式:000.00199.99mV;    

分辨力:10μV

輸入阻抗:>1000MΩ

精度:±0.1%;

顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動(dòng)顯示;

四探針探頭基本指標(biāo)間距:1±0.01mm;

針間絕緣電阻:≥1000MΩ;

機(jī)械游移率:≤0.3%

探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;

探針壓力:516牛頓(總力);

四探針探頭應(yīng)用參數(shù)(見探頭附帶的合格證)

模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差

(JJG508-87進(jìn)行)0.01Ω、0.1Ω1Ω、10Ω、100Ω1000Ω、10000Ω≤0.3%±1

整機(jī)測(cè)量zui大相對(duì)誤差(用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%

整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度≤5%

計(jì)算機(jī)通訊接口并口

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境溫度:23±2;

相對(duì)濕度:≤65%

無(wú)高頻干擾;

無(wú)強(qiáng)光直射;

 


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