太赫茲探測(cè)也是太赫茲技術(shù)中的另一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，是太赫茲技術(shù)投入到實(shí)際應(yīng)用的另一關(guān)鍵環(huán)節(jié)。由于目前太赫茲輻射源的功率普遍都比較低，因此發(fā)展高靈敏度、高信噪比的太赫茲探測(cè)技術(shù)尤為重要。太赫茲的探測(cè)方法比較多，對(duì)于脈沖太赫茲的探測(cè)目前已經(jīng)廣泛使用的方法有光電導(dǎo)天線探測(cè)和電光采樣兩種方式。本文主要?dú)w類整理對(duì)于連續(xù)波太赫茲的探測(cè)方法，主要有測(cè)輻射熱計(jì)（bolometer）太赫茲探測(cè)器，高萊盒探測(cè)器，太赫茲光聲探測(cè)器，熱釋電探測(cè)器，熱電探測(cè)器，亞太赫茲超快探測(cè)器。這些探測(cè)器性能各有不同，可應(yīng)用于不同環(huán)境?？蒲袑?shí)驗(yàn)研究中往往需要根據(jù)自己的太赫茲源選擇合適的太赫茲探測(cè)器。
主要探測(cè)器性能對(duì)比
| 頻率范圍 | 響應(yīng)度 | 噪聲等效功率（NEP） | 響應(yīng)時(shí)間 | 外形尺寸，特殊要求 | |
| 測(cè)輻射熱計(jì)太赫茲探測(cè)器 | 0.1-20THz | 2.4×105V/W | 10-13W/Hz1/2 | ns | 體積大，需要冷卻 |
| 高萊盒太赫茲功率計(jì)/探測(cè)器 | 0.05-20THz | 1×105 V/W | 10-10W/Hz1/2 | 10ms | 體積小，閾值低 |
| 熱釋電太赫茲功率計(jì)/探測(cè)器 | 0.1-30THz | 1.4×105V/W | 10-9W/Hz1/2 | ms | 體積小 |
| 熱電太赫茲功率計(jì) | 0.3-10THz | 1×105V/W | 10-9W/Hz1/2 | ms-s | 體積小 |
| 太赫茲超快探測(cè)器 | 0.05-0.7THz | 1V/W | 10-9W/Hz1/2 | ps | 體積微小，需接示波器 |
>> 高萊盒太赫茲探測(cè)器 Golay Cell
用高萊盒探測(cè)器（Golay Cell）探測(cè)太赫茲輻射。其原理是：當(dāng)太赫茲輻射通過接受窗口照射到吸收薄膜上時(shí)，吸收薄膜將能量傳遞給與之相連的氣室，使氣體溫度和氣壓升高，以此驅(qū)動(dòng)與氣室相連的反射鏡膨脹偏轉(zhuǎn)，通過光學(xué)方法檢測(cè)反射鏡移動(dòng)量，能間接地測(cè)量太赫茲的輻射量。
| 高萊盒參數(shù)\型號(hào) | Golay Cell (GC-1P) | Golay Cell (GC-1T) | Golay Cell (GC-1D) |
| 入射窗材料 | 高密度聚乙烯（HDPE） | 聚4-甲基戊烯（TPX） | 金剛石（Diamond） |
| 工作波長(zhǎng) | 15-8000um | 0.3-6.5um&13-8000um | 0.4-8000um |
| 入射錐直徑 | 11mm | ||
| 入射窗直徑 | 6mm | ||
| 額定探測(cè)功率 | <10uW,更大功率需要衰減器 | ||
| 調(diào)制頻率 | 15±5Hz | ||
| 光學(xué)響應(yīng) | 典型值：1×105V/W | ||
| 響應(yīng)速度 | 典型值：30ms | ||
| 等效噪聲功率 | 典型值NEP=1.4×10-10W/Hz1/2 | ||
| 操作溫度 | 5-40℃ | ||
| 尺寸 | L×W×H=126×45×87mm3 | ||
| 應(yīng)用 | 中紅外和THz | 紫外-近紅外和THz | 可見光-太赫茲 |
>> 熱釋電太赫茲探測(cè)器/太赫茲功率計(jì)
熱釋電太赫茲探測(cè)器/太赫茲功率計(jì)是利用利用熱釋電材料的自發(fā)極化強(qiáng)度隨溫度而變化的效應(yīng)制成的一種熱敏型紅外探測(cè)器。熱釋電材料是一種具有自發(fā)極化的電介質(zhì)，它的自發(fā)極化強(qiáng)度隨溫度變化。如果把熱釋電材料做成表面垂直于極化方向的平行薄片，當(dāng)紅外太赫茲輻射入射到薄膜表面時(shí)，薄片因吸收輻射而發(fā)生溫度變化，引起極化強(qiáng)度的變化。而中和電荷由于材料的電阻率跟不上這一變化，其結(jié)果是薄片的兩表面之間出現(xiàn)瞬態(tài)電壓，若有外電阻跨接在兩表面之間，電荷就通過外電路形成電流，電流的大小與熱釋電系數(shù)成正比，還與薄膜的溫度變化成正比，可用來測(cè)量THz輻射的強(qiáng)度。
| 太赫茲功率計(jì)參數(shù)\型號(hào) | 3A-P-THZ | RM9-THZ | THZ9D- 20mS-BL | THZ5I-BL-BNC | THZ9B-BL |
| 攝入孔徑 | 12mm | 8mm | 9mm | 5mm | 9mm |
| 測(cè)量光譜范圍 | 0.3-10THz | 0.1-30THz | 0.1-30THz | 0.1-30THz | 0.1-30THz |
| 功率測(cè)量范圍 | 15uW-3W | 100nW-100mW | up to 25mW | up to 140uW | up to 150nW |
| 噪聲水平 | 4uW | 20nW | 300nW | 1nW | 3nW |
| 響應(yīng)時(shí)間 | 0.2s | 3.5s | 0.2s | 0.2s | 0.2s |
| 調(diào)制頻率 | N/A無需斬波調(diào)制 | 18Hz | 10Hz | 5Hz | 5Hz/25Hz |
>> 一種可用于真空腔中的熱釋電太赫茲探測(cè)器
上海屹持光電推出的SPY-01太赫茲探測(cè)器是一個(gè)可以放置于真空腔中，非常緊湊的熱釋電探測(cè)器。用于探測(cè)從紫外到太赫茲波段的微弱電磁波輻射。真空腔太赫茲探測(cè)器都裝配有外部供電電源。
>> 太赫茲超快探測(cè)器
TeraSense的太赫茲探測(cè)技術(shù)受惠于等離子體激元領(lǐng)域的長(zhǎng)期基礎(chǔ)研究。超快太赫茲探測(cè)器可以以150ps的響應(yīng)速度探測(cè)太赫茲超短脈沖的瞬態(tài)時(shí)域譜型。探測(cè)波譜范圍0.05-0.7THz。等效噪聲功率在1nW量級(jí)。
>> 測(cè)輻射熱計(jì)bolometer太赫茲探測(cè)器
測(cè)輻射熱計(jì)bolometer太赫茲探測(cè)器是一種非相干太赫茲探測(cè)器，它只記錄所探測(cè)的輻射功率大小。其原理是用一根電阻將溫度為T0的吸收體連接起來，然后對(duì)吸收體施加偏置功率為Pb的電場(chǎng)，這是如果吸收體收到輻射功率為Ps的太赫茲輻射信號(hào)，吸收體的溫度會(huì)高于熱源的溫度。如果保持偏置功率Pb不變，電阻溫度會(huì)發(fā)生相應(yīng)變化，由此可以通過測(cè)電阻來測(cè)量輻射功率。
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