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　　德州儀器 (TI) 宣布 PowerStackTM 封裝技術(shù)產(chǎn)品出貨量已突破 3000 萬套，PowerStack 封裝技術(shù)再次凸顯了 TI 在封裝領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)，其可為在更低成本下要求更高功率密度、可靠性以及性能的應(yīng)用實現(xiàn)更進一步的發(fā)展。TI 擁有數(shù)十年的豐富封裝專業(yè)技術(shù)經(jīng)驗，可為成千上萬種豐富產(chǎn)品、封裝配置與技術(shù)提供支持，從而可為模擬市場提供的封裝組合。
 　　PowerStack 技術(shù)的優(yōu)勢是通過創(chuàng)新型封裝方法實現(xiàn)的，即在接地引腳框架上堆棧 TI NexFETTM 功率 MOSFET，并采用兩個銅彈片連接輸入輸出電壓引腳。這種堆棧與彈片焊接的*組合可實現(xiàn)更高集成的無引線四方扁平封裝 (QFN) 解決方案。
　　通過 PowerStack 技術(shù)堆棧 MOSFET，的優(yōu)勢是可使封裝尺寸比并排排列 MOSFET 的其它解決方案銳減達 50%。除降低板級空間之外，PowerStack 封裝技術(shù)還可為電源管理器件提供優(yōu)異的熱性能、更高的電流性能與效率。如欲了解有關(guān) PowerStack 優(yōu)勢的更多詳情，敬請訪問：ti.com/powerstack.
　　TechSearch 創(chuàng)始人兼總裁 Jan Vardaman 表示：“PowerStack 是我在電源市場所見過的首項具有如此強大功能的封裝技術(shù)，3D 封裝解決方案的勢頭在不斷加強，該技術(shù)將是解決各種當(dāng)前及新一代設(shè)計挑戰(zhàn)的理想選擇。”
　　PowerStack 現(xiàn)已在 TI Clark 廠投入量產(chǎn)?？蔀殡娫垂芾砥骷@著提高性能，降低功耗，并改進芯片密度。