實驗目的：(1) 電磁鐵極間磁場強度的研究（綜合應用實驗）;(2) 螺線管內(nèi)軸線上磁場的分布; (3) 霍耳效應的研究
勵磁電流：0—500mA ,三位半數(shù)顯
直流電壓測量范圍：0—199.9mV 三位半數(shù)顯
集成霍耳傳感器.恒壓供電
螺線管半徑:18.40 mm;匝數(shù): 1300 匝
電磁鐵：L1=263mm, L2=6mm,N=1000匝
配傳感器調(diào)節(jié)裝置、實驗模板

光敏二極管伏安特性實驗儀

實驗項目：光敏二極管基本特性的測量
光強測量范圍：0-1900LUX
電流測量：10-4A、10-5A、10-6A, 三位半數(shù)顯
電壓輸出：2-18V
電壓測量：0-19.99V, 三位半數(shù)顯

磁場描繪實驗儀

實驗項目：（1）亥姆霍茲線圈磁場測量（2）線圈磁場描繪
透明坐標平臺:270*270mm
亥姆霍茲線圈：R=85×10-3m，a=85×10-3m，N=230匝
恒流源：0-500mA
霍耳集成電路磁場強度探測器：靈敏度K=12.0mV/mT
感應電動勢測量：0—19.99mv，數(shù)顯
激光描繪
含激光器及電源

動態(tài)磁滯回線測試儀

實驗項目：動態(tài)磁滯回線測試
可調(diào)隔離變壓器調(diào)壓范圍：AC：0--100V
樣品鐵芯截面積：A=354mm2
樣品初級線圈鐵芯平均長度78mm
樣品初級匝數(shù)：1150T
樣品次級匝數(shù)：281T
示波器另配實驗內(nèi)容: (1) 了解硅光電池的基本結構及基本原理；(2)研究硅光電池伏安特性、硅光電池短路電流與開路電壓、相對強度的關系
硅光電池
半導體光源，暗箱
電壓測量范圍：0-1.999V, 0-19.99V, 三位半數(shù)顯
電流測量范圍：0-1.999mA, 0-19.99A, 三位半數(shù)顯
負載電阻：0-9999Ω
光強測量范圍:0-1900LUX