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天津津梁儀器設(shè)備有限公司
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18222110276

二探針單晶硅及多晶硅測試直徑Φ25~Φ150mm

時(shí)間:2022/10/25閱讀:207
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二探針單晶硅及多晶硅測試儀主要用于測量大直徑的單晶硅和多晶硅的電阻率分布情況,以便硅材料的切割和加工。
本儀器符合ASTM 《“F391-77"關(guān)于二探針測量硅單晶試驗(yàn)方法》的標(biāo)準(zhǔn),是一種新型的半導(dǎo)體電阻率測試儀,適合半導(dǎo)體材料廠和器件廠用于二探針法測量單晶硅和多晶硅半導(dǎo)體棒狀材料的體電阻率,從而進(jìn)一步判斷半導(dǎo)體材料的性能,指導(dǎo)和監(jiān)視工藝操作,也可以用來測量金屬材料的電阻,儀器具有測量高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便、造型美觀等特點(diǎn)。也可以配四探針測試頭作常規(guī)的四探針法測量硅晶體材料。儀器分為儀表電氣控制箱、測試臺、探頭三部分,儀表電氣控制箱由高靈敏度直流數(shù)字電壓表、高抗干擾高隔離性能的電源變換裝置、高穩(wěn)定高恒流源和電氣控制部分組成。測量結(jié)果由大型LED數(shù)字顯示,零位穩(wěn)定、輸入阻抗高,并設(shè)有自校功能。在棒狀材料使用二探針法測試時(shí),具有系數(shù)修正功能,從面板輸入相應(yīng)的修正系數(shù),可以直接讀出電阻率,使用方便。測試臺結(jié)構(gòu)新穎,造型美觀,可以方便地固定好大小任意尺寸的樣品,并可以作逐點(diǎn)選擇步進(jìn)測量,也可以自由選擇固定位置測量,電極活動自如,具備鎖定裝置,方便重復(fù)測量。另外還配置了二處記錄板和轉(zhuǎn)椅,測試探頭能自動升降,探針為碳化鎢材料,配置寶石軸承,具有測量高、游移率小、耐磨、使用壽命長特點(diǎn)。同時(shí)探頭壓力恒定并且可調(diào)整,以適合不同的材料。
主要參數(shù):
可測硅材料尺寸:
直徑Φ25~Φ150mm滿足ASTM F-397的技術(shù)要求。
長度:100~1100mm.
測量方式:軸向測量,每隔10mm測量一點(diǎn)。
測量電阻率范圍:10-3~103Ω-cm,可擴(kuò)展到105Ω-cm。
數(shù)字電壓表:
(1)量    程:0.2mV、2mV、20mV、200mV、2V
(2)測量誤差-----:±0.3%讀數(shù)±2字
(3)輸入阻抗:0.2mV和2mV檔>106Ω    20mV檔及以上>108Ω
(4)顯    示:31/2位LED數(shù)字顯示,范圍0~1999。
恒流源:
(1)電流輸出:直流電流0~100mA連續(xù)可調(diào)。
(2)量    程:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA
(3)電流誤差-----:±0.3%讀數(shù)±2字
二探針測試裝置:
(1)探針間距:4.77mm
(2)探針機(jī)械游移率:0.3%
(3)探針壓力:0~2kg可調(diào)
(4)測試探頭自動升降
二探針測試臺
(1)測試硅單長度:100-1100mm
(2)測試點(diǎn)間距:10mm
(3)測試臺有慢、快二種移動速度,快速移動速度為1000mm/分(均勻手動)
電源:交流220V±10%,50HZ±2HZ,消耗功率<150W

數(shù)字式四探針測試儀是根據(jù)四探針測試原理研究成功的多用途的綜合測量裝置,它可以測量棒狀、塊狀半導(dǎo)體材料的電阻率和半導(dǎo)體擴(kuò)散層的薄層電阻進(jìn)行測量,可以從10-6--105Ω—cm全量程范圍檢測硅的片狀、棒狀材料的電阻、薄層電阻,是硅材料質(zhì)量監(jiān)測的儀器。儀器為臺式結(jié)構(gòu),分為電氣箱、測試架兩大部分,用戶可以根據(jù)測試需要安放在一般工作臺或者工作臺上,測試架由探頭及壓力傳動機(jī)構(gòu)、樣品架組成,耐磨和使用壽命長的特點(diǎn)。探頭內(nèi)設(shè)有彈簧壓力裝置,壓力從0—2Kg連續(xù)可調(diào),測試架設(shè)有手動和電動兩種裝置供用戶選購。儀器電氣箱主要由高靈敏的直流數(shù)字電壓表和高穩(wěn)定的恒流源組成,測量結(jié)果由數(shù)字直接顯示,儀器有自校量程,可以方便地對儀器的電氣性能進(jìn)行校驗(yàn)。儀器具有測量高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、測量范圍廣、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn),儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、器件廠、科學(xué)研究部門、高等院校,對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試及工藝檢測。
主要參數(shù):
范圍:電阻率10-4—103Ω—cm,可擴(kuò)展至105Ω—cm,分辯率為10-6Ω—cm
方塊電阻10-3—103Ω /□
電阻10-6—105Ω
可測半導(dǎo)體尺寸:直徑Φ15—150mm
測量方式:軸向、斷面均可(手動測試架)
數(shù)字電壓表(1)量程0.2mV、2mV、20mV、200mV、2V
測量誤差------ 0.2mV檔±(0.3%讀數(shù)+8字)
2 mV檔以上±(0.3%讀數(shù)+2字)
輸入阻抗0.2mV、2mV擋105Ω    0mV檔以上>108Ω
顯示3 1/2位數(shù)字顯示,0—1999
具有極性和過載自動顯示,小數(shù)點(diǎn)、單位自動顯示
恒流源:
(1)電流輸出:直流電流0—100mA連續(xù)可調(diào),由交流電源供給
(2)量程:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA 五檔
(3)電流誤差---:±(0.3%讀數(shù)+2字)
四探針測試探頭
(1)探頭間距:1mm   (2)探針機(jī)械游率:±0.3%
(3) 探針:Φ0.5mm    (4)壓力:可調(diào)
測試架:
(1)手動測試架:探頭上升及下降由手動操作,可以用作軸向和斷面的單晶棒和硅片測試。
(2)電動測試架:探頭的上升和下降由電動操作,設(shè)有自動控制器控制,探頭上升時(shí)間1S—99S可調(diào),探頭下降時(shí)間1S—99S可調(diào),壓力恒定可調(diào)(由砝碼來設(shè)定)同時(shí)設(shè)有腳踏控制裝置由腳踏開關(guān)控制探頭上下運(yùn)動。
電流:220V±10% 50HZ或60HZ:功率消耗<35W
外形尺寸:電氣箱130×110×400mm

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